Объект: VD

Библиотека: Electronics

Имя на уровне решателя: Electronics.VD

Аннотация: Диод

Обозначение:

Порты (степени свободы) компонента:

№	Обозначение порта	Тип	Наименование порта
1	Port1	ELECTRIC	Электрический порт 1 анода диода
2	Port2	ELECTRIC	Электрический порт 2 катода диода

Пользовательские параметры модели:

№	Параметр	Тип	Описание	Единица	Значение по умолч.
1	A	real	Коэффициент A = V / FT	?	100
2	Cb0	real	Начальная барьерная емкость p - n перехода, Ф	F	1e-12
3	I0	real	Ток насыщения пробоя, А	A	1e-2
4	IS	real	Ток насыщения, А	A	1e-2
5	T	real	Величина постоянной T	s	1e-9
6	Up	real	Напряжение пробоя, В	V	100

Расчетные и измеряемые величины:

№	Параметр	Описание	Единица
1	V_Voltage1	Электрический потенциал на порте ;	V
2	S_ElectricCurrent1	Электрический ток на порте ;	A
3	V_Voltage2	Электрический потенциал на порте ;	V
4	S_ElectricCurrent2	Электрический ток на порте ;	A

Результаты тестирования

Схема диода (VD)

Описание компонента

Диод — это электронный компонент, который пропускает электрический ток только в одном направлении. Он состоит из двух основных частей: анода и катода.

Основное применение:

• Выпрямление переменного тока

• Защита от переполюсовки

• Преобразование высокочастотных сигналов

Параметры диода

Характеристики модели диода

Параметр	Значение	Описание
\(I_s\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения (максимальный обратный ток)
\(T\)	\(1 \times 10^{-9}\) с	Постоянная времени
\(U_p\)	100 В	Напряжение пробоя
\(C_{b0}\)	\(1 \times 10^{-12}\) Ф	Начальная барьерная ёмкость
\(I_0\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения пробоя
\(A\)	100	Коэффициент \(A = V/FT\)

Режим работы

Так как диод включен во встречном направлении (обратное смещение), его сопротивление близко к бесконечности. Следовательно, ток в цепи практически равен нулю.

Начальные данные

Параметры элементов схемы

Элемент	Параметр	Значение	Описание
E1	\(E\)	1 В	Напряжение источника питания
r1	\(R\)	1 Ом	Внутреннее сопротивление источника
VD1	\(I_s\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения диода
VD1	\(T\)	\(1 \times 10^{-9}\) с	Постоянная времени
VD1	\(U_p\)	100 В	Напряжение пробоя
VD1	\(C_{b0}\)	\(1 \times 10^{-12}\) Ф	Начальная барьерная ёмкость
VD1	\(I_0\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения пробоя
VD1	\(A\)	100	Коэффициент \(A = V/FT\)

Результат моделирования

При обратном включении диода ток в цепи составляет:

\[I = \frac{E}{R_{диод} + r_1} \approx 0 \text{ А}\]

где \(R_{диод} \to \infty\) при обратном смещении.

Схема теста

Рисунок 1 – Схема тестирования диода VD в обратном включении

График результата теста

Рисунок 2 - Electronics_model_VD.Check